SanDisk prezentuje przełomowe pamięci flash
12 lutego 2009, 17:41Podczas International Solid State Circuits Conference San Disk zaprezentował wyjątkowo gęste pamięci flash. Firma w pojedynczej komórce upakowała cztery bity, podczas gdy w obecnie wykorzystywanych kościach znajdują się 1-2 bitów.
Intel, Nvidia i AMD na CeBicie
3 marca 2009, 11:47Z odbywających się właśnie targów CeBIT 09 nadchodzą informacje o nowych produktach AMD, Intela i Nvidii.
1000-rdzeniowe procesory są możliwe
22 listopada 2010, 12:56Podczas konferencji SC2010 inżynier Intela Timothy Mattson poinformował, że jego firma dysponuje technologią, która pozwala na zbudowanie procesora składającego się z 1000 rdzeni.
Gwałtownie rosną ceny układów pamięci
6 września 2013, 10:55Po niedawnym pożarze w fabryce Hyniksa, drugiego po Samsungu największego producenta kości pamięci, ceny układów pamięci wzrosły średnio o 19%. Pożar zniszczył fabrykę w Wuxi w pobliżu Szanghaju.
Superszybkie DDR4
19 sierpnia 2015, 09:18Podczas IDF 2015, odbywających się w San Francisco, firma G.Skill zaprezentowała swoje najszybsze kości DDR4. W ramach serii TridentZ powstały zestawy DDR4 4266MHz 8GB (2x4GB) oraz DDR4 4133MHz 8GB (2x4GB)
Nowy kontroler i tańsze SSD
7 stycznia 2016, 10:31Podczas rozpoczętych właśnie targów CES 2016 Marvell zaprezentuje kontroler dla SSD, który współpracuje z protokołem NVMe v. 1.2. Protokół ten pozwala na wykorzystanie pamięci RAM komputera w roli pamięci cache SSD
Trwają testy 80-rdzeniowego procesora
12 lutego 2007, 12:02Intel przekazał kolejne informacje, dotyczące 80-rdzeniowego procesora, o którym pisaliśmy przed kilkoma miesiącami. Okazuje się, że firma ma już testowy model układu.
Chiny będą miały własne układy 3D NAND
19 stycznia 2017, 11:55Chińska Yangtze River Storage Technology oznajmiła, że pracuje nad własną technologią pamięci 3D NAND. Przedsiębiorstwo nie poinformowało, kiedy rozpocznie produkcję nowych kości
Ruszyła masowa produkcja 60-nanometrowych kości DRAM
4 marca 2007, 11:23Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję pierwszych w historii 1-gigabitowych kości DDR2 wykonanych w technologii 60 nanometrów. Wdrożenie nowego procesu technologicznego oznacza 40% wzrost wydajności produkcji w porównaniu z technologią 80 nanometrów.
Nieulotne pamięci FRAM dla przemysłu motoryzacyjnego
3 lutego 2017, 06:25Fujitsu przystosowało nowy rodzaj pamięci nieulotnej FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory) do potrzeb rynku motoryzacyjnego. Japoński koncern poinformował, że jego nowy chip MB85RS256TY pracuje w pełnym zakresie temperatur wymaganych przez przemysł motoryzacyjny (od 125 do -40 stopni Celsjusza)
